本发明公开了聚吡咯包覆Ni‑Co‑S纳米针阵列
复合材料,以乙酸镍、乙酸钴、尿素、硫脲为原料,制备NF/NiCo
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4纳米针阵列材料,再以聚吡咯为导电聚合物,通过黏结剂和固化剂,制得聚吡咯包覆Ni‑Co‑S纳米针阵列复合材料,其中,纳米针状结构具有壳‑核结构,核结构为NiCo
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4,壳结构为聚吡咯。其制备方法包括以下步骤:1)NF/NiCo
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4纳米针阵列材料的制备;2)NF/NiCo
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4纳米针阵列材料的制备;3)聚吡咯包覆Ni‑Co‑S纳米针阵列复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用,窗口电压为0‑0.5V,在放电电流密度为1A/g时,比电容为1800‑1900F/g。泡沫镍载体表面生长的纳米针阵列结构规整有序,比表面积大,利于电子的传输;采用直接滴覆的方法实现导电聚合物的包覆,有效提高
电化学性能。
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“聚吡咯包覆Ni-Co-S纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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