本发明提供了一种反应熔体渗透制备高光洁度碳陶
复合材料的方法,包括步骤如下:(1)将前驱体粉料和溶剂混合均匀,得到外涂层浆料;(2)将外涂层浆料涂刷在多孔C/C复合材料胚体表面,升温至100‑180℃保温,固化得到含外涂层多孔C/C复合材料胚体;(3)在氮化硼坩埚中平铺硅粉后,在硅粉上放置外涂层的多孔C/C复合材料胚体,在真空条件下升温至1600‑1800℃保温,进行熔融渗硅处理,即得高光洁度碳陶复合材料。本发明的制备方法有效地提高了C/C复合材料在渗硅后碳陶表面的光洁度,解决了碳/碳渗硅后碳陶材料装配性差的问题,避免了碳陶材料的二次精加工,降低了生产成本,适用于规模化批量生产。
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