本发明公开了一种高介电性能三元
复合材料及其制备方法,属于嵌入式电容器和半导体存储器件等的应用领域。本发明复合材料由聚偏氟乙烯和填料组成,填料为
硅烷偶联剂KH550改性碳化硅纳米线和硅烷偶联剂KH570改性四针状氧化锌晶须;是按下述步骤进行的:将KH550‑SiCNWs和KH570‑T‑ZnOw溶于N,N二甲基甲酰胺中,室温超声震荡至少2h,加入PVDF粉末,在室温下超声溶解反应至少4h,得到掺杂改性填料溶胶;然后进行抽滤和抽气泡,然后铺膜,然后烘干,得到复合薄膜;积叠放后热压,得高介电性能三元复合材料。相较于SiCNWs/PVDF二元复合材料,本发明的三元复合材料具有更加优异的介电性能。
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