本发明公开了Cu‑W含
石墨烯复合材料的制备方法,具体过程为:采用间歇式电沉积法制备W@Cu&石墨烯核‑壳粉体,再将W@Cu&石墨烯核‑壳粉体进行冷压成型、烧结,得到Cu‑W&石墨烯复合材料,或者将W@Cu&石墨烯核‑壳粉体进行热压烧结,得到Cu‑W&石墨烯复合材料。本发明方法有望解决石墨烯的加入对Cu‑W复合材料的钨骨架强度和导电性能之间产生此消彼长影响,且该方法制备复合材料的成本低,复合材料抗电弧烧蚀性能好。
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