本发明公开了一种新型mxenes聚合物介电
复合材料,所述介电复合材料由作为填料的Ti3C2Tx与作为基质的P(VDF‑TrFE)组成,所述Ti3C2Tx占介电复合材料的8‑12wt.%;一种新型mxenes聚合物介电复合材料的制备工艺,采用Ti3C2Tx与P(VDF‑TrFE)混合后浇筑成膜,并将两薄膜采用PC热压制成新型mxenes聚合物介电复合材料。采用本发明的一种新型mxenes聚合物介电复合材料及制备工艺,具有高介电常数和低介电损耗的特性。
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