本发明提供了一种以水滑石为模板的金属硫化物半导体纳米
复合材料及其制备方法,属于半导体复合材料技术领域。本发明以LDHs为模板,将金属配合物阴离子经离子交换取代NO3-或者Cl-进入水滑石层间,构成金属配合物阴离子占层间阴离子摩尔数总数40-100%的层状粉体材料,再向粉体中通入足量H2S气体,经气固相反应得到半导体纳米粒子插层水滑石。优点在于:把具有优异光电性能及催化性能的II-VI族半导体纳米粒子组装进入水滑石层间,实现II-VI族半导体纳米粒子在水滑石层间的高度分散;同时还可调变层板金属及有机配体制备得到半导体纳米粒子分散均匀、粒径可调的有机—无机半导体纳米复合材料。
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“以水滑石为模板的金属硫化物半导体纳米复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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