本发明提供了一种
复合材料,所述复合材料包括如下式(I)所示的填充方钴矿基体;IyCo4Sb12?(I),其中,I至少为Yb、Eu、Ce、La、Nd、Ba和Sr中的一种,0.05≤y<1,所述复合材料还包括分布在所述填充方钴矿基体内的GaSb颗粒,其中所述复合材料中含有0.05-5mol%的GaSb颗粒。所述复合材料相比未复合纳米GaSb相的热电材料基体而言,材料的Seebeck系数大幅度提高,总热导率略有下降,热电性能指数ZT值在高低温整个温区范围内得到大幅提高,材料的热电转换效率也得到较大改进。本发明工艺简单、容易控制、产业化前景好。
声明:
“填充方钴矿基复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)