本发明公开了一种高
储能性能陶瓷/聚合物介电
复合材料及其制备方法,该聚合物基复合材料以P(VDF‑CTFE)为基体材料,低介电、低损耗与高绝缘SiO
2包覆的Pb(Zr
0.52Ti
0.48)O
3粉体为填充物。本发明利用准同型相界的Pb(Zr
0.52Ti
0.48)O
3铁电陶瓷填充物来提高复合材料介电常数,利用低介电常数SiO
2降低填充物与基体之间电场强度畸变来提高击穿场强。复合材料的击穿场强可以提高至450MV/m~491MV/m,该复合材料在最高491MV/m外加电场强度下,可以实现16.8J/cm
3的储能密度和70%的储能效率。同时本发明还公开了该复合材料的制备方法。通过本发明,可以获得高储能密度、高储能效率和高击穿场强的聚合物基复合材料,该复合材料优异的介电储能特性使其可应用于高功率脉冲技术领域。
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“高储能性能陶瓷/聚合物介电复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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