本发明涉及聚合物
复合材料嵌入式微电容及其制备方法,属于微电子
新材料与器件技术领域。该微电容包括依次层叠的上电极,介电薄膜和下电极,该介电薄膜采用聚酰亚胺/钛酸钡(PI/BT)复合材料。该方法包括:使用原位聚合法将BT纳米颗粒分散入PI中制备介电薄膜PI/BT复合材料;采用流延法将PI/BT复合材料黏附在基底铜板上,在得到的介电薄膜上铺一层光刻胶,并根据版图进行紫外线曝光,得到图形化的光刻胶;介电薄膜和光刻胶上溅射一层金属层;在丙酮溶液中浸泡形成了图形化好的上层电极;在氧气和三氟甲烷的混合气体中进行RIE处理后,超声清洗,即制得微电容。本发明可获得面积较大的、均匀致密的介电薄膜,并且可以使微电容在较高温度和低温下稳定工作。
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