本发明属于光催化材料的制备技术领域,涉及一种二维氧化钨/铌酸锡纳米片‑片结构复合
半导体材料的制备方法。向氧化钨纳米片和铌酸锡纳米片中加入去离子水,超声分散均匀,分别配置氧化钨纳米片悬浊液和铌酸锡纳米片悬浊液,将两个悬浊液混合,搅拌后将所得混合液转移到反应釜中,放入烘箱中,进行水热反应;待自然冷却至室温后,离心出黄色固体沉淀,水洗和醇洗数次,烘干,取出,用研钵研磨至粉末状后备用,得到二维氧化钨/铌酸锡纳米片‑片复合半导体材料。本发明所用的铌酸锡化学和物理性质稳定,原材料廉价易得,无毒,且以其为载体制备二维氧化钨/铌酸锡纳米片‑片复合半导体材料的反应工艺简单,所得产品光催化活性好。
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