本发明涉及一种SiC‑Si3N4
复合材料的制备方法及基于其的SiC‑Si3N4复合材料,包括以下步骤:准备模具;以及在1100℃至1600℃下,在所述模具上引入包括Si、N及C的原料气体,从而形成SiC‑Si3N4复合材料。更具体地,本发明提供适用于半导体工艺的高纯度SiC‑Si3N4复合材料,并通过经由CVD方法使具有高热冲击强度的材料Si3N4与SiC材料一起生长来提高SiC材料的热冲击强度。
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“碳化硅-氮化硅复合材料的制备方法及基于其的碳化硅-氮化硅复合材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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