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单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用

545   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:14:02
一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用,属于碳纳米材料技术领域。底层为硅片,硅片上为垂直单壁碳纳米管阵列,垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳纳米洋葱结构。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列,在单壁碳纳米管阵列的顶端蒸镀Si层,然后利用Si层生长碳纳米洋葱结构。单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料除去底层硅片后用于超级电容器中。
声明:
“单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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