本发明涉及一种SiC纳米线改性陶瓷基
复合材料界面制备陶瓷基复合材料的方法,将多孔纤维预制体浸渍在催化剂溶液中,然后在CVD炉中,以三氯甲基
硅烷MTS为硅源;氩气Ar作为稀释气体,稀释比为30~90;氢气作为载气,进行原位沉积SiC纳米线;再以三氯甲基硅烷MTS为硅源;氩气Ar作为稀释气体,稀释比为9~11,采用CVI工艺制备SiC基体,得到致密SiC纳米线改性的陶瓷基复合材料。本发明利用SiC纳米线的增强增韧机制,提高材料的力学性能。与相同工艺下的PyC界面的复合材料相比,SiC纳米线做界面的复合材料的弯曲强度提高了26.7%(图6),还可以提高界面的抗氧化性。
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