本发明公开了一种含共沉积复相界面的SiC
f/SiC
复合材料制备方法,包括以下步骤:采用CVI工艺对SiC纤维预制体进行界面沉积,以丙烯为碳源气体、以三氯甲基
硅烷为碳化硅源气体进行共沉积;载气为氢气,稀释气体为氩气和氢气;利用CVI工艺对完成界面沉积的SiC纤维预制体进行SiC基体沉积,碳化硅源气体为三氯甲基硅烷,载气为氢气,稀释气体为氩气和氢气。制备获得的SiC
f/SiC复合材料,在纤维与基体之间为PyC‑SiC复相界面,PyC‑SiC复相界面是共沉积形成的、由SiC纳米晶和热解炭相PyC组成的复相界面。本发明提供的制备方法,主要包括利用CVI共沉积制备PyC‑SiC复相界面以及SiC基体的致密化两个主要步骤,界面制备更容易控制且制备效率也更高;所制备的SiC
f/SiC复合材料的强韧性得到进一步提高。
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