本发明是关于
半导体材料领域,旨在提供InVO4/g-C3N4
复合材料的制备方法。本发明包括如下步骤:将H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色悬浮液;80℃下搅拌2h后获得沉淀,过滤,并用蒸馏水和无水乙醇洗涤,干燥处理后获得三聚氰胺硫酸盐;获得g-C3N4颗粒;将g-C3N4颗粒分散到无水乙醇中得到分散体系,将偏钒酸铵水溶液逐滴加入该混合溶液中形成黄色澄清溶液;搅拌获得沉淀,过滤、洗涤,加入表面活性剂并进行水热反应;所得沉淀过滤,获得InVO4/g-C3N4复合材料。本发明的有益效果是:解决了InVO4纳米晶的形核、生长问题,促使InVO4纳米晶在疏松g-C3N4颗粒表面原位生长。
声明:
“InVO4/g-C3N4复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)