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SiC纳米线原位增强的SiCf/SiC复合材料及其制备方法

689   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:13:02
本发明公开了一种SiC纳米线原位增强的SiCf/SiC复合材料及其制备方法,该复合材料包括SiC纤维预制件、SiC纳米线和SiC陶瓷基体,所述SiC纳米线原位生长于所述SiC纤维预制件的纤维表面,所述SiC纳米线之间相互缠绕成网状结构;所述SiC陶瓷基体填充于所述SiC纤维预制件的孔隙中。制备方法包括:(1)表面化学改性处理;(2)加载催化剂;(3)化学气相沉积;(4)先驱体浸渍裂解。该SiC纳米线原位增强的SiCf/SiC复合材料具有SiC纳米线分布均匀不团聚且与SiC纤维结合良好、强韧性好、致密度高等优点,制备方法工艺简单、设备要求低、环保、工艺通用性好,SiC纳米线引入体积分数高且可控。
声明:
“SiC纳米线原位增强的SiCf/SiC复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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