本发明公开了一种含MAX相界面层的SiC
f/SiC
复合材料的制备方法,采用磁控溅射的方法对SiC纤维编织件进行沉积,获得含MAX相界面层的SiC纤维,然后采用先驱体浸渍裂解的方法陶瓷化获得SiC
f/SiC复合材料;所述MAX相为Ti
3SiC
2;所述磁控溅射为先采用TiC靶进行磁控溅射,在SiC纤维束或SiC纤维编织件表面获得0.1~0.2μm的TiC过镀层,然后再采用TiC靶材与Si靶双靶共溅射获得Ti
3SiC
2,所述Ti
3SiC
2的厚度控制为0.6~1.0μm;本发明首创的采用磁控溅射的方法获得了含MAX相界面层的SiC
f/SiC复合材料,有效降低了沉积温度,避免了纤维的损伤,所得界面层在抗氧化性能方面优于现有技术常用的C、BN等界面层。同时本发明采用双先驱体浸渍法,有效的提升了浸渍效率,并获得了化学计量比的碳化硅陶瓷。
声明:
“含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)