本申请提供的铜基
石墨烯复合材料的制备方法,包括:采用
电化学抛光工艺对原始板状铜基底进行预处理,得到预处理后的铜基底,其中,上述原始板状铜基底的厚度为5μm~25μm;采用化学气相沉积工艺在预处理后的铜基底的上下表面生长石墨烯,得到石墨烯包覆铜基底;对至少一片石墨烯包覆铜基底进行热压烧结处理,得到铜基石墨烯复合材料,上述铜基石墨烯复合材料为由石墨烯和铜基底交替复合形成的层状复合材料,铜基底在所述铜基石墨烯复合材料的厚度方向上呈单晶态,且呈(111)晶面择优取向。本申请提供的铜基石墨烯复合材料的制备方法,可制备出电导率较高的铜基石墨烯复合材料。
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“铜基石墨烯复合材料的制备方法和铜基石墨烯复合材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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