在一种电极装置中,该电极装置包括在各层中具 有电极(ε)的第一和第二薄膜电极层(L1,L2),该电极为平行 条状形式的电导体,提供仅由电绝缘材料的的薄膜(6)分开的电 极(ε),电绝缘材料的薄膜的厚度最多为电极宽度的一部分并 且至少沿其侧边延伸并在其间形成绝缘壁(6a)。电极层(L1,L2) 被平面化以获得非常平的表面。在包括一个或多个电极装置 (EM)的设备中,每个的电极层(L1,L2)以其各自的电极(1;2) 以一角度相交而相互取向,优选正交,并整体提供功能介质(3) 夹在其间,以便获得优选无源矩阵可寻址设备并将其用作例如 包括形式例如分别为逻辑单元或存储单元的可独立寻址功能 元件(5)的矩阵可寻址数据处理装置或矩阵可寻址数据存储装 置,其在整体功能介质(3)中的填充因数接近一并且该设备中单 元的最大数目约为A/f2,其中A 为夹在电极层(L1,L2)之间的整体功能介质(3)的面积,而f是 受工艺约束的最小特征值。
声明:
“存储结构的电极、方法和设备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)