本发明属于有机电子器件技术领域,提供一种基于掺杂噻吩异靛的有机薄膜场效应晶体管,所述有机薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极、活性层和绝缘层,栅电极与源电极、漏电极之间通过绝缘层绝缘,源电极与漏电极相互不接触并以活性层为导电通道,其特征在于,采用有机聚合物掺杂的有机
半导体材料作为有机薄膜器件晶体管的活性层;所述作为掺杂的聚合物为聚噻吩衍生物,所述有机半导体材料是一种含有噻吩异靛结构的有机小分子材料。本发明有效改善了有机薄膜晶体管的可控性,提高了器件性能,且工艺简单,成本降低,适于大规模生产。所述有机小分子材料具有如下结构通式:
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“基于掺杂噻吩异靛的有机薄膜场效应晶体管及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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