本发明涉及一种基于宽禁带氧化物包覆量子点的电双稳态器件,其结构包括:透明电极衬底;空穴缓冲层,该缓冲层制作在透明电极衬底上;P型半导体聚合物层;量子点有源层,该有源层就是基于宽禁带氧化物包覆量子点的薄膜,该有源层制作在P型半导体聚合物层上,是该电双稳态器件的核心;铝电极蒸镀在量子点有源层上,作为器件的阴极。基于宽禁带氧化物包覆量子点的电双稳态器件由于其具有低成本,易加工,膜层薄以及电流开关比高的特点,在未来的信息电子工业领域有着广阔的应用前景。
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