本发明涉及一种三维的微结构,其具有:大量的彼此邻近的、相对于其相应的微柱纵向伸展部基本彼此平行地且彼此间隔地被安置的微柱,所述微柱具有至少一种微柱材料,所述微柱各自具有一在20至1000范围内的纵横比,并各自具有一在0.1微米直至200微米范围内的微柱直径;以及在毗邻的微柱之间配设的微柱空隙,所述微柱空隙具有在所述毗邻的微柱之间从1微米至100微米范围中选出的微柱间距。本发明也提出一种用于建造所述的三维微结构的方法,其具有如下方法步骤:a)用模板材料制备一模板,其中,所述模板具有一基本与所述微结构相反的三维模板结构,所述三维模板结构具有柱状模板空腔,b)将所述微柱材料安置在所述柱状模板空腔中,从而形成所述微柱,和c)至少部分地移去所述模板材料。有利地,将硅晶片用作模板。为了制备所述模板,以PAECE(PhotoAssistedElectro-ChemicalEtching光辅助
电化学蚀刻)-方法为基础。借助于本发明,具有极大表面的微结构得以实现。
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“三维微结构、具有至少两个三维微结构的装置、用于制造所述微结构的方法和所述微结构的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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