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全无机量子点基阻变存储器及其制备方法

954   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:10:02
本发明公开了一种全无机量子点基阻变存储器及制备方法,涉及半导体领域,包括自下而上依次设置的基板、底电极、阻变层和顶电极,其中,所述底电极与阻变层之间还设置有缓冲层。本发明通过增加铁电材料缓冲层,使阻变存储器的工作电压降低至0.3V以下,存储窗口提高到107量级以上;器件在持续工作1.4×106s后阻变性能退化小于0.01%,并且在104次快速读取测试中显示出良好的耐久性。所述设计大大提升了量子点阻变存储器的阻变性能,加速了量子点基阻变存储器的商业化进程。
声明:
“全无机量子点基阻变存储器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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