本发明公开了一种全无机量子点基阻变存储器及制备方法,涉及半导体领域,包括自下而上依次设置的基板、底电极、阻变层和顶电极,其中,所述底电极与阻变层之间还设置有缓冲层。本发明通过增加铁电材料缓冲层,使阻变存储器的工作电压降低至0.3V以下,存储窗口提高到10
7量级以上;器件在持续工作1.4×10
6s后阻变性能退化小于0.01%,并且在10
4次快速读取测试中显示出良好的耐久性。所述设计大大提升了量子点阻变存储器的阻变性能,加速了量子点基阻变存储器的商业化进程。
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