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正型QLED器件及其制备方法

588   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:10:02
本发明提供了一种正型QLED器件的制备方法,包括以下步骤:提供阳极和置换配体溶液;在所述阳极上沉积量子点预制薄膜,所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成,将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原位配体交换,将所述初始配体置换为置换配体,得到量子点发光层,其中,所述置换配体至少含有两个活性官能团;在所述量子点发光层表面制备电子功能层;在所述电子功能层上制备阴极。
声明:
“正型QLED器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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