本发明揭示了一种含钽薄膜的刻蚀工艺,所述刻蚀工艺包括:步骤S1、在含钽薄膜上沉积一层或者多层的隔离材料;步骤S2、采用光刻工艺,刻蚀隔离材料及含钽薄膜。所述步骤S2具体包括:步骤S21、沉积光刻胶后进行曝光、显影工艺;步骤S22、采用刻蚀工艺先刻蚀上述的隔离材料;步骤S23、采用与步骤S22中的刻蚀工艺相同或者不同的工艺参数刻蚀含钽薄膜,而后去除光刻胶;或者,在刻蚀隔离材料后先去除光刻胶,随后以隔离材料作为硬掩膜,再次刻蚀去除含钽薄膜。本发明提出的含钽薄膜的刻蚀工艺,可以保证刻蚀后此薄膜表面洁净,保障后续工艺的顺利和性能(如接触)的可靠。同时,本发明工艺稳定可靠且成本低。
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