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钕铁硼磁体晶界扩渗的制备方法

745   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:09:02
本发明属于磁性功能材料领域,特别提供了一种钕铁硼磁体晶界扩渗的制备方法。其特征在于将R-M合金氢破粉作为钕铁硼磁体晶界扩渗的扩渗源,其中R为La, Ce, Pr, Nd, Gd, Tb, Dy, Ho中的至少一种,M为Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Al中的至少一种,M的原子分数5-30%。具体工艺步骤为:用速凝法制备R-M合金薄片;将合金薄片进行氢破处理得到R-M氢破粉;将R-M氢破粉附着在钕铁硼磁体的表面作为扩渗源;进行晶界扩渗及退火热处理。该发明的主要优点是:R-M氢破粉具有很强的抗氧化性;R?M氢破粉熔点低,扩渗效率高;工艺简单,操作方便。
声明:
“钕铁硼磁体晶界扩渗的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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