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提高单畴YBCO超导块临界电流的方法

929   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:09:02
一种提高单畴YBCO超导块临界电流的方法,属于功能材料领域。其特征 是在单畴YBCO超导块先驱粉中掺杂粒径20~100nm的SiO2纳米粉末,将SiO2 纳米粉末按相对于YBCO超导块先驱粉的0.02~1wt%的比例加入该先驱粉末中, 经球磨混合均匀后,用单轴模压成型,再采用顶部籽晶辅助熔融织构生长工艺 (TSMTG)生成单畴结构的YBCO超导块。SiO2纳米粉末的制备工艺为:将正 硅酸四乙酯、无水乙醇和去离子水按体积比1∶1-3∶1-3配成清澈透明溶液,经 水浴、搅拌形成乳白色凝胶;再经形成干凝胶后研磨成细粉,经400-700℃焙烧 0.5-2.5小时即得到粒径20~100nm的SiO2纳米粉末。本发明有效提高了单畴 YBCO超导块材宽场范围内的临界电流。
声明:
“提高单畴YBCO超导块临界电流的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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