本发明提供了一种利用二次退火降低自旋阀薄膜矫顽力的方法,属于信息电子、
功能材料领域。在磁控溅射仪中制备自旋阀薄膜,在真空退火炉中进行退火。其特征在于:采用两次退火,退火顺序依次为在1000~3000Oe磁场下,在100~300℃温度下,保温0.5~3h后,降至室温;再在50~300Oe磁场下,在100~300℃温度下,保温0.5~3h;第一次退火时的磁场方向沿着自旋阀薄膜制备态时的易轴方向,第二次退火时的磁场方向与第一次退火时的磁场方向垂直;退火时本底真空度为1×10-4~1×10-5Pa;退火时通入一定流量的N2作为保护气体。本发明的优点在于:利用两次退火,既提高了自旋阀薄膜在室温下的磁阻效应,又明显降低了薄膜的矫顽力。本发明对改进磁传感器的性能有重要的应用价值。
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