本发明提供一种微波器件用的低介电常数陶瓷材料,涉及信息
功能材料领域。该陶瓷材料包括主材与改性添加物。主材由经过
稀土Ln
aO
b掺杂的Mg
2+xSi
5+xAl
4‑2xO
18与预烧后的SnO
2·TiO
2混合物组成掺杂Ln
aO
b的Mg
2+xSi
5+xAl
4‑2xO
18·y(SnO
2·TiO
2),其中0<x<0.5,0<y<0.20,Ln选自Y、Ce、Sm、Pr、La、Dy、Ho、Er或者Nd。主材在低介电常数陶瓷材料中的质量分数为98~99.5wt%,改性添加物在低介电常数陶瓷材料中的质量分数为0.5~2wt%。本发明的陶瓷材料是一种无铅环保型材料,采用固相合成方法合成主材成分,掺杂改性添加物,经过合理设计配方,优化合成工艺,粒度D50在0.6‑2.10um的粉体,利用该粉体制作电子陶瓷器件可在1320~1420℃的温度范围内烧结成瓷,其室温介电常数ε介于4.5~6.5之间,品质因数Qf值≥60000GHz,温度系数τf(‑40~85℃):±10ppm/℃。
声明:
“微波器件用的低介电常数陶瓷材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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