本发明涉及二维铁电导电材料领域,具体为一种具有可调控、性质稳定及晶体取向均匀稳定的SrNbO
3.5/SrNbO
3二维铁电一维导电材料及其制备方法,适于多尺寸、高质量的集铁电性和导电性于一体的
功能材料及器件的制备。首先采用
钙钛矿陶瓷材料作为生长基体,在高温下通过脉冲激光沉积技术生长出SrNbO
3.5薄膜,然后率先借助电子束辐照进一步在SrNbO
3.5薄膜中诱发相变,生成贯穿薄膜的SrNbO
3纳米线,从而制备出SrNbO
3.5/SrNbO
3二维铁电一维导电薄膜。本发明解决目前研究中铁电性与导电性难共存及导电性影响铁电性等问题,为新型铁电导电材料在光电器件、热电器件、压电器件等领域的研究和应用奠定基础。
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“SrNbO3.5/SrNbO3二维铁电一维导电材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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