一种三元阶梯型异质结半导体光催化剂制备方法,涉及一种光催化剂制备方法,本发明为一种新型用于增强可见光光催化活性的Ag:ZnIn
2S
4/CdS/RGO三元阶梯型异质结的制备方法和条件,涉及光催化
功能材料及其制备领域,将两个光敏硫化物半导体在水热条件下与RGO耦合形成稳定的三元异质结,并获得目标光催化剂。这种合理设计的三元异质结光催化剂提高了可见光吸收率,产生了较大的表面积,暴露出足够的催化活性位点。同时,异质结构界面处的内置电势梯度可以促进电子‑空穴对的分离,并降低其复合的机会。最终提高材料光催化产氢效率。
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