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用于生长硼硅酸镧晶体的方法

661   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:09:02
本发明提供一种用于生长LaBSiO5晶体或激活离子掺杂LaBSiO5晶体的方法,采用熔盐法制备,熔盐体系中包括LaBO3、Li2MoO4、SiO2化合物。用x1、x2、x3 分别表示体系中LaBO3、Li2MoO4和SiO2的摩尔百分含量,则这三种化合物的含量比需满足:0< x1< 0.3, 0.7≤x2< 1, 0< x3< 0.3且x1+x2+x3=1;晶体的生长温度区间为1000℃‑850℃。在制备LaBSiO5晶体时,可向其中掺杂Y3+、Tm3+、Eu3+离子等,这些激活离子替代晶格中的La3+或者B3+离子,从而制备出激活离子掺杂的LaBSiO5晶体。涉及光电子功能材料技术领域。
声明:
“用于生长硼硅酸镧晶体的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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