本申请涉及
功能材料技术领域,提供了一种调控氧化锌的电子迁移率的方法。所述调控氧化锌的电子迁移率的方法,包括以下步骤:制备氧化锌,且在制备所述氧化锌的过程中,通过控制所述氧化锌的表面羟基量,来调控氧化锌的电子迁移率。本申请提供的调控氧化锌的电子迁移率的方法,只需要通过调控氧化表面羟基量即可实现量子点发光二极管器件的载流子注入平衡或提高电子迁移率,无需改变器件结构(插入电子阻挡层),也无需通过掺杂等手段对氧化锌薄膜进行改性,整个过程操作简单,成本低廉,具有良好的可重复性。
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“调控氧化锌的电子迁移率的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)