本发明涉及微电子技术领域,具体是一种集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法。该方法包括:在常规CMOS工艺完成前段工艺至钨栓塞形成后,沉积金属层间介质层;之后将存储阵列部分钨栓塞上方的介质层打开,形成第一层金属布线沟槽,露出钨栓塞;随后生长金属氧化物
功能材料、电极材料、扩散阻挡层、仔晶铜以及电镀铜,最后用化学机械抛光一步形成存储单元及第一层金属布线。本发明方法工艺简便,在标准工艺的基础上不需要额外增加光照步骤,成本低,效果好。
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“集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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