本发明属于光电
功能材料领域,其公开了一种增强
稀土掺杂钨酸钪上转换发光强度的方法,该稀土掺杂钨酸钪发光材料的结构式为:Sc2-a-b(WO4)3∶Yba/Mb,其中,M为Er,Tm,Ho中的至少一种组成;且0.005<a≤0.2,0<b≤0.08。在300~900℃温度下,采用0.1~20V的电源通电1h以上,使得Sc2-a-b(WO4)3∶Yba/Mb中的Sc3+离子迁移,导致M3+离子晶体场的对称性变差。因此,材料自然冷却至室温并断电后,在980nm波长的红外光激发下M3+离子的发光强度增强。此发明不仅解决了化学法增强上转换发光容易产生杂相的问题,而且解决了物理法增强上转换发光存在电场依赖的问题。本发明方法得到的稀土掺杂钨酸钪发光材料可广泛用于光电器件、防伪、生物分子荧光标记和三围立体显示等领域中。
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我是此专利(论文)的发明人(作者)