本发明的提出了一种基于氧化镓的三维日盲光电探测器,为高性能3D日盲光电探测器的制备和研究奠定基础。本发明是按照下述步骤进行的:(1)清洗柔性衬底;(2)采用射频磁控溅射技术在柔性衬底上室温沉积a‑Ga
2O
3薄膜;(3)在a‑Ga
2O
3薄膜上利用热蒸发技术在上面蒸发一层金属薄膜;(4)采用光刻技术在有金属薄膜的a‑Ga
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3上制备电极,得到具有MSM结构的2D光电探测器阵列;(5)采用剪切折叠技术,把2D光电探测器阵列制备成3D光电探测器。本发明利用简单的剪切和折叠技术制备3D日盲光电探测器。该制备方法工艺简单、成本低廉,而且选用非晶Ga
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3作为日盲光响应层,有效改善了在弯折过程中,
功能材料的断裂和脱离现象。
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