本发明涉及信息
功能材料制备领域,特别涉及一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法,包括:将第一碳化硅晶圆和第二碳化硅晶圆键合形成第一键合结构;对所述第一键合结构进行退火处理,沿所述第一碳化硅晶圆的缺陷层剥离部分所述第一碳化硅晶圆;在第一碳化硅晶圆上外延生长第一纯度的碳化硅外延层,所述碳化硅外延层表面形成有第三键合介质层;将所述第一键合结构和硅衬底键合形成第二键合结构;面向所述第二碳化硅晶圆切割至所述第一键合介质层,去除所述第二碳化硅晶圆和所述第一碳化硅晶圆,暴露所述碳化硅外延层,得到硅基碳化硅薄膜材料。本发明解决了碳化硅薄膜制备技术中单晶质量差、无法通过传统薄膜沉积异质外延、薄膜均匀性差的技术问题。
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