本发明属于
功能材料技术领域,具体涉及一种在薄膜材料中兼容远红外透明与导电性能的方法,通过设计光频介电常数大于15的介质薄膜,并引入浓度为25‑35%的阴离子空位以实现远红外透明与导电性能的兼容;具体通过制备菱方相的Bi2Tex材料来获得光频介电常数大于15的介质薄膜,Bi2Tex材料的制备工艺包括如下步骤:将纯Bi2Te3靶安装在磁控射频溅射靶中,采用硅片或硫化锌片作为衬底;抽真空度,通入高纯Ar气;控制纯Bi2Te3靶的溅射功率,在基底上沉积;沉积得到薄膜材料后,采用管式炉退火。本发明方法设计科学合理,相比较于传统通过调控载流子浓度或有效质量方法,其能够在薄膜材料中很好地实现兼容远红外透明与导电性能。
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