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基于卤化铅的阻变存储器

945   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:08:02
本发明提出了一种基于卤化铅的阻变存储器及其制备方法,其具体结构为三明治结构,FTO、ITO、ZTO作为基片和底电极,卤化铅薄膜作为阻变层,Pt、Au、W作为顶电极。本发明采用了一种新型的阻变功能材料卤化铅,它具有成分简单、易于成膜、在空气中化学性能稳定的特点。以卤化铅作为阻变层制备的阻变存储器单元,具有高低阻态比值窗口大、电学性能稳定、制备工艺简单、成本低廉、安全可靠,同时无环境污染的特点,它的存储窗口值达到了103以上。具有良好的循环耐受性,在多次重复擦写之后仍然具有良好的阻变性能。本发明具有较好的发展潜力和应用价值。
声明:
“基于卤化铅的阻变存储器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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