本发明涉及半导体、电子
功能材料领域,公开了一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法,所述绝缘化剂中包括Pb
3O
4、CuO、B
2O
3,并用新的氧化剂CBi
2O
5替代了Bi
2O
3,将CBi
2O
5、Pb
3O
4、CuO、B
2O
3按一定质量比混合制成新的绝缘化剂,并通过瓷片绝缘化的过程,使用绝缘化剂,得到电阻值更高的电容器瓷片,提高电容器的性能。
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“提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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