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非闪烁量子点及其制备方法

841   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:08:02
本发明涉及半导体功能材料技术领域,特别涉及一种非闪烁量子点及其制备方法。本发明将壳层生长温度控制在比核体生长温度高5~80℃,使壳层源各组分在高温条件下反应,促进壳层源各离子的相互渗透,消除壳层晶体内部的缺陷,进而得到晶相稳定的富集ZnSe材料,避免富集ZnSe材料被空气中的氧气氧化;同时,本发明还通过壳层源添加方式的设置,避免壳层源的各组分单独成核,进而得到以富集ZnSe材料为壳层的核壳结构量子点。利用上述方案得到的量子点的亮态比为90~100%,属于典型的非闪烁量子点。
声明:
“非闪烁量子点及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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