本发明涉及半导体
功能材料技术领域,特别涉及一种非闪烁量子点及其制备方法。本发明将壳层生长温度控制在比核体生长温度高5~80℃,使壳层源各组分在高温条件下反应,促进壳层源各离子的相互渗透,消除壳层晶体内部的缺陷,进而得到晶相稳定的富集ZnSe材料,避免富集ZnSe材料被空气中的氧气氧化;同时,本发明还通过壳层源添加方式的设置,避免壳层源的各组分单独成核,进而得到以富集ZnSe材料为壳层的核壳结构量子点。利用上述方案得到的量子点的亮态比为90~100%,属于典型的非闪烁量子点。
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