本发明一种氧化亚铜半导体陶瓷材料及其制备方法,属于
功能材料技术领域。本发明提出的一种新的氧化亚铜半导体陶瓷材料配方,该配方改变以往直接采用Cu
2O原料,在Cu
2O基础上添加其他金属氧化物原料作为组成的方法。改变半导体陶瓷材料的组成配方,并选择增加导电性金属氧化物,降低半导体陶瓷材料的体积电阻,提高半导体陶瓷材料耐电腐蚀性和耐化学性腐蚀性,增加半导体陶瓷材料与Al
2O
3,ZrO
2基体材料的结合强度,从而提高使用半导体陶瓷材料的使用寿命。同时,减少在制备过程中对人员和环境的威胁。
声明:
“氧化亚铜半导体陶瓷材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)