一种磁性纳米线阵列薄膜及其制备方法,属于电子
功能材料技术领域。包括MgAl2O4单晶基片、Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基体和NiFe2O4纳米线;NiFe2O4纳米线均匀分布在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基体中,形成沉积于MgAl2O4单晶基片(001)取向表面的磁性纳米线阵列薄膜。该薄膜采用PZT-NFO靶材和(001)取向MgAl2O4单晶基片,采用90度离轴磁控溅射工艺制得,具有铁磁共振线宽小、铁磁共振频率高、晶格失配小,可自组装外延生长的特点,是一种用于微波非互易性器件的重要材料。其制备方法容易实现,参数控制方便,操作简单,成本低。
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