本发明属于光电子信息
功能材料技术领域,具体涉及一种Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法,包括如下步骤:称取ZnO粉末和Ga2O3粉末,其中Ga占总粉末的摩尔百分含量为1~3%,将称取的粉末经预烧结和烧结处理,制得Ga掺杂ZnO靶材;将衬底和制得的靶材装入磁控溅射镀膜机中,将溅射室抽真空,通入氩气,控制工作压强为0.1~0.5Pa;将衬底的温度升至300~600℃,控制溅射功率为80~120W,进行镀膜处理,制得Ga掺杂ZnO透明导电薄膜,本发明的制备方法可大面积规模化生产、工艺简单、成本低,制得的透明导电薄膜表面平整致密,粗糙度较小,电阻率低,透过率高,性能稳定,应用前景广阔。
声明:
“Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)