本发明涉及一种新型白光LED器件的制备方法,包括以下步骤:制备AlN晶体材料;对AlN晶体材料进行切割、打磨和抛光,制成表面平整的AlN薄片;对制成的AlN薄片进行清洗,清洗后对其进行烘烤以除去表面的水气与溶剂残留物;在AlN薄片上图形化电极并蒸镀金属电极;最后再进行氮气氛下的退火处理,制成新型白光LED器件。本发明直接采用气相传输法制备的AlN晶体材料作为
功能材料,在晶体上制备电极后直接通电发光。该方法实现单一材料的白光输出,无需荧光粉的二次转换,因此器件结构更加简单紧凑,单晶状态的AlN功能层也能承载更大的功率密度。由于利用宽禁带半导体AlN材料禁带内的缺陷发光,使器件的发射光谱十分丰富,可覆盖整个可见光区域,且光色品质出色。
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