本发明属于电子
功能材料技术领域,涉及一种低介电损耗钛酸铜钙薄膜的制备方法;具体步骤为:首先制备获得CCTO前驱体溶胶;然后清洗硅片,将硅片依次浸入NaOH溶液、去离子水中和无水乙醇中,超声振荡,烘干、冷却后备用;取前驱体溶胶的上层清液保温,在密闭环境中,将清洗后的硅片于CCTO前驱体溶胶中浸渍,匀速取出,置于马弗炉内干燥,形成一层均匀致密的CCTO薄膜,重复操作,直至镀完5层薄膜,得到非晶化CCTO薄膜;置于无水乙醇擦拭后的坩埚中,在空气气氛下进行退火处理,冷却得到CCTO薄膜;本发明方法操作简单,原料价格低廉、环保,制备方法简单且重复性高,介电性能优异,具有良好的应用价值。
声明:
“低介电损耗钛酸铜钙薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)