石墨烯复合金属离子掺杂缺陷型半导体光催化剂制备方法,涉及光催化
功能材料制备方法,本发明以三元硫化物ZnIn
2S
4为参照,将Ag
+、锌源、铟源、硫源和氧化态石墨烯按照一定的摩尔比在水热条件下反应,并获得目标光催化剂。这种新型的可见光光催化剂结构清晰,组成明确,通过Ag
+的掺杂可以显著增强ZnIn
2S
4的可见光光谱响应范围,与石墨烯复合后可以使光生载流子的扩散范围增大,抑制光生电子‑空穴对的重组从而增强可见光催化活性,是一种有前途的可见光光催化材料。
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