本发明公开一种基于MoO
3纳米带修饰
石墨烯的室温FET型氢气敏感元件的制备方法及应用,属于无机纳米
功能材料技术领域,其主要步骤包括:A:水热法制备MoO
3纳米带粉末;B:用磁控溅射法制备FET型氢敏元件的源极、漏极和栅极;C:采用喷涂成膜法将配置好的MoO
3纳米带混合液喷涂到源漏电极的中心部位;D:退火处理。本发明中采用对氢气敏感的MoO
3纳米带修饰在石墨烯表面,可以明显的提高石墨烯基传感器的性能,因此在氢气的检测过程中,有很大的应用价值。
声明:
“基于MoO3纳米带修饰石墨烯的室温FET型氢气敏感元件的制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)