本发明涉及一种制备硒化镉纳米带的方法,属于
纳米材料制备技术领域。本发明采用双坩埚法,将静电纺丝技术与硒化技术相结合,制备了CdSe纳米带。本发明包括三个步骤:(1)配制纺丝液;(2)制备CdO纳米带,采用静电纺丝技术制备PVP/Cd(NO3)2复合纳米带,在空气中进行热处理得到CdO纳米带;(3)制备CdSe纳米带。采用双坩埚法,在氩气保护下用硒粉对CdO纳米带进行硒化处理,得到CdSe纳米带,具有良好的晶型,宽度为2.1560±0.2014μm,厚度为618nm,长度大于50μm。硒化镉纳米带是一种重要的
功能材料。本发明的制备方法简单易行,可以批量生产,具有广阔的应用前景。
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