本发明公开了一种钕铌为半导化的NTC热敏电阻材料及其制备方法,属于电子信息
功能材料与器件技术领域。本发明以锰镍铁钴的氧化物为主要成分组成、钕铌为半导化掺杂元素,采用固相反应法制备,通过球磨、烘干、预烧、二次球磨、烘干、粉碎过筛等工序来制备。本发明的热敏电阻材料具有稳定性好,具有电阻值、材料常数、电阻温度系数等电气特性可控的特点,适用于温度测量、温度控制和线路补偿,以及电路和电子元件的保护以及流量、流速、射线测量的仪器与应用领域。
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“钕铌为半导化的NTC热敏电阻材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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